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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F040A |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓為512k × 8位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 286K |
| 代理商： | MBM29F040A |
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15
MBM29F040A
-90-X/-12-X
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP PIN CAPACITANCE
Note: Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz
I
PLCC PIN CAPACITANCE
Note: Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1.5
30
sec
Excludes 00H programming
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
500
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
8.5
50
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8.5
10
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8.5
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F040C | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-PDIP -40 to 85 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MBM29F040C-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
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