- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377889 > MB84VD22184EG-90-PBS (FUJITSU LTD) 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB84VD22184EG-90-PBS |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| 封裝： | PLASTIC, FBGA-71 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/61頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1589K |
| 代理商： | MB84VD22184EG-90-PBS |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)當(dāng)前第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)
MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
33
I
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1. DC Characteristics
(Continued)
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
f,V
CC
s
–1.0
—
+1.0
μ
A
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
f,V
CC
s
–1.0
—
+1.0
I
LIT
RESET Inputs Leakage
Current
V
CC
f
= V
CC
f Max., V
CC
s
= V
CC
s Max,
RESET = 12.5V
—
—
35
μA
I
LIA
ACC Input Leakage
Current
V
CC
f
= V
CC
f Max.,V
CC
s
= V
CC
s Max,
WP/A
CC
= V
ACC
Max
—
—
20
mA
I
CC1
f
Flash V
CC
Active Current
(Read)
(Note 1)
CEf = V
IL
,
OE = V
IH
t
CYCLE
= 5 MHz Byte
—
—
16
mA
t
CYCLE
= 5 MHz Word
—
—
18
t
CYCLE
= 1 MHz Byte
—
—
7
mA
t
CYCLE
= 1 MHz Word
—
—
7
I
CC2
f
Flash V
CC
Active Current
(Program / Erase) (Note 2)
CEf = V
IL
, OE = V
IH
—
—
35
mA
I
CC3
f
Flash V
CC
Active Current
(Read-While-Program)
(Note 5)
CEf = V
IL
, OE = V
IH
Byte
—
—
51
mA
Word
—
—
53
I
CC4
f
Flash V
CC
Active Current
(Read-While-Erase)
(Note 5)
CEf = V
IL
, OE = V
IH
Byte
—
—
51
mA
Word
—
—
53
I
CC5
f
Flash V
CC
Active Current
(Erase-Suspend-Program)
CEf = V
IL
, OE = V
IH
—
—
35
mA
I
CC1
s
SRAM V
CC
Active Current
V
CC
s = V
CC
Max.,
CE1s = V
IL
,
CE2s = V
IH
t
CYCLE
=10 MHz
—
—
50
mA
I
CC2
s
SRAM V
CC
Active Current
CE1s = 0.2 V,
CE2s = V
CC
s – 0.2 V,
t
CYCLE
= 10 MHz
—
—
50
mA
t
CYCLE
= 1 MHz
—
—
8
mA
I
SB1
f
Flash V
CC
Standby Current
V
CC
f = V
CC
Max., CEf = V
CC
f ± 0.3 V
RESET = V
CC
f ± 0.3 V,
WP/A
CC
= V
CC
f± 0.3 V
—
1
5
μ
A
I
SB2
f
Flash V
CC
Standby Current
(RESET)
V
CC
f = V
CC
Max., RESET = V
SS
± 0.3 V,
WP/A
CC
= V
CC
f± 0.3 V
—
1
5
μ
A
I
SB3
f
Flash V
CC
Current
(Automatic Sleep Mode)
(Note 3)
V
CC
f = V
CC
Max., CEf = V
SS
± 0.3 V
RESET = V
CC
f ± 0.3 V,
WP/A
CC
= V
CC
f± 0.3 V
V
IN
= V
CC
f± 0.3 V or V
SS
± 0.3 V
—
1
5
μ
A
I
SB1
s
SRAM V
CC
Standby Current CE1s > V
CC
s – 0.2 V, CE2s > V
CC
s – 0.2 V
—
—
15
μ
A
I
SB2
s
SRAM V
CC
Standby Current CE2s < 0.2 V
—
—
15
μ
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD22194EG-90-PBS | CONN HEADER 14POS DL PCB 30GOLD |
| MB84VD22194EH-90 | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EH-90-PBS | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22194EH-90-PBS | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22183EC | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VD22184EH | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EH-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EH-90-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184FM | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184FM-70 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M (X16) FLASH MEMORY & 4M (X16) STATIC RAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。