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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB84VD21181 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 1,600（× 8 / × 16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 48/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 907K |
| 代理商： | MB84VD21181 |
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MB84VD2118XA
-85
/MB84VD2119XA
-85
48
Write Cycle (Note 1) (CE2s Control) (SRAM)
Addresses
WE
CE1s
CE2s
LB
S
, UB
S
D
OUT
D
IN
Note 2
VALID DATA IN
t
DS
t
ODW
t
COE
t
BE
t
BW
t
CW
t
CW
t
WP
t
WC
t
AS
t
WR
t
AW
t
DH
Notes : 1. If OE is HIGH during the write cycle, the outputs will remain at high impedance.
2. Because I/O signals may be in the output state at this time, input signals of reverse
polarity must not be applied.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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