參數(shù)資料
型號(hào): MB81V4800S-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 512K×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 512K×8位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS為512k × 8位快速頁(yè)面模式的DRAM(的CMOS為512k × 8位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
文件頁(yè)數(shù): 13/26頁(yè)
文件大?。?/td> 328K
代理商: MB81V4800S-70
13
MB81V4800S-60/MB81V4800S-70
Fig. 7 – OE (DELAYED WRITE) CYCLE
RAS
V
IH
V
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
DESCRIPTION
In the OE (delayed write) cycle, t
WCS
is not satisfied; thus, the data on the DQ pins is latched with the falling edge of WE and written
into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
“H” or
Invalid Data
VALID
DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
ASC
t
RP
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
CAH
t
RAH
t
RAD
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
CAL
t
RAL
t
RWL
t
AR
t
CWL
t
WP
t
WCH
t
DZC
t
OED
t
CAC
t
AA
t
DH
t
DZO
t
OEH
t
OEZ
t
RAC
t
DS
t
WCR
t
OEA
t
DHR
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