參數(shù)資料
型號(hào): MB8116400A-60
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 4米× 4位快速頁(yè)面模式的DRAM(的CMOS 4米× 4位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
文件頁(yè)數(shù): 20/25頁(yè)
文件大?。?/td> 307K
代理商: MB8116400A-60
20
MB8116400A-50/MB8116400A-60/MB8116400A-70
“H” or “L”
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
VALID DATA OUT
HIGH-Z
HIGH-Z
Fig. 14 – HIDDEN REFRESH CYCLE
DESCRIPTION
A hidden refresh cycle may be performed while maintaining the latest valid data at the output by extending the active time of CAS
and cycling RAS. The refresh row address is provided by the on-chip refresh address counter. This eliminates the need for the external
row address that is required by DRAMs that do not have CAS-before-RAS refresh capability.
t
RC
t
RAS
t
RAS
t
RC
t
RP
t
OEL
t
RCD
t
RSH
t
RAD
t
CHR
t
RP
t
CRP
t
RAH
t
ASR
t
ASC
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RAL
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RCS
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RAC
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OH
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OFF
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t
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V
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IL
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IL
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IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RAS
A
0
to A
11
WE
DQ
(Input)
OE
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
CAS
t
WER
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PDF描述
MB8116400A-70 CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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