參數(shù)資料
型號: MB8116400A-60
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 4米× 4位快速頁面模式的DRAM(的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 14/25頁
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代理商: MB8116400A-60
14
MB8116400A-50/MB8116400A-60/MB8116400A-70
“H” or “L”
VALID
DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
VALID
HIGH-Z
Fig. 7 – READ-MODIFY-WRITE-CYCLE
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from High to Low after the data appears on the DQ pins. In the read-
modify-write cycle, OE must be changed from Low to High after the memory access time.
t
RP
t
RWC
t
RAS
t
CRP
t
RCD
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RWD
t
AWD
t
CWD
t
CWL
t
RWL
t
RCS
t
DZC
t
RAC
t
DS
t
WP
t
DH
t
OEH
t
OED
t
CAC
t
AA
t
ON
t
OEA
t
DZO
t
OEZ
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RAS
A
0
to A
11
WE
DQ
(Input)
OE
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
CAS
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
RAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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