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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116165B-50 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1米× 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（1米× 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 15/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | MB8116165B-50 |
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15
MB8116165B-50/-60
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
ASR
t
CAH
t
RCS
t
DZC
t
CSH
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
ROW
ADD
COL
ADD
t
RSH
t
WCH
t
RWL
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
ON
t
ON
t
AR
t
OEZ
LCAS
or
UCAS
V
IH
V
IL
A
0
to A
11
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
OH
V
OL
RAS
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
DESCRIPTION
In the delayed write cycle, t
WCS
is not satisfied; thus, the data on the DQ pins are latched with the falling edge of WE and written
into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
Fig. 7 – DELAYED WRITE CYCLE (OE CONTROLLED)
V
IH
V
IL
OE
Invalid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
t
CRP
VALID
DATA IN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MB8116400A-60 | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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