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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MAZT062H |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | ESD Diodes Silicon planar type |
| 中文描述： | 6.2 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-81, SSMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | MAZT062H |
ESD Diodes
MAZT000H Series
Silicon planar type
1
Publication date: February 2002
SKE00013BED
For surge absorption circuit
I
Features
Two elements anode-common type
P
tot
=
150 mW
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Total power dissipation
*
P
tot
T
j
150
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
I
Common Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
*1
Note)*: With a printed circuit board
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Zener voltage
*2
V
Z
I
Z
Specified value
V
Zener knee operating resistance
R
ZK
R
Z
I
R
I
Z
I
Z
V
R
Specified value
μ
A
Zener operating resistance
Specified value
Reverse current
Specified value
0.28
±
0.05
3
1
2
0.28
±
0.05
(0.51)
(0.80)
1.60
+0.05
0.12
+0.05
0.60
+0.05
(0.80)
(0.51)
0
(
3
(
(
0
(
+
–
0
±
0
(
1
±
0
3
Refer to the list of the
electrical characteristics
within part numbers
Internal Connection
1
3
2
Note) 1. Test method according to the JIS C7031 testing
2. Electrostatic breakdown voltage is
±
10 kV
Test method: IEC1000-4-2 (C
=
150 pF, R
=
330
, Contact discharge: 10 times)
3.*1: The V
Z
value is for the temperature of 25
°
C. In other cases, carry out the temperature compensation.
*2: Guaranteed at 20 ms after power application.
1: Cathode 1
2: Cathode 2
3: Anode 1, 2
EIAJ: SC-89
SSMini3-F2 Package
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