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參數(shù)資料
| 型號： | MAZT068 |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | ESD Diodes Silicon planar type |
| 中文描述： | ESD二極管硅平面型 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MAZT068 |
ESD Diodes
MAZTxxxH Series
Silicon planar type
1
Publication date: November 2004
SKE00013DED
For surge absorption circuit
■
Features
Two elements anode-common type
Power dissipation P
D
: 150 mW
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
*
P
D
150
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
■
Common Electrical Characteristics
T
a
= 25°C
±
3°C
Note)*: P
D
= 150 mW achieved with a printed circuit board.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Zener voltage
*
V
Z
I
Z
Specified value
V
Zener rise operating resistance
R
ZK
R
Z
I
Z
I
Z
Specified value
μ
A
Zener operating resistance
Specified value
Reverse current
I
R
V
R
Specified value
0.28
±
0.05
3
1
2
0.28
±
0.05
(0.51)
(0.80)
1.60
+0.05
0.12
+0.05
0.60
+0.05
(0.80)
(0.51)
0
(
3
(
(
0
(
+
–
0
±
0
(
1
±
0
3
Refer to the list of the
electrical characteristics
within part numbers
Internal Connection
1
3
2
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. Electrostatic breakdown voltage:
±
10 kV
Test method: IEC1000-4-2 (C
=
150 pF, R
=
330
, Contact discharge: 10 times)
3. *: The temperature must be controlled 25°C for V
Z
mesurement.
V
Z
value measured at other temperature must be adjusted to V
Z
(25°C)
V
Z
guaranted 20 ms after current flow.
1: Cathode 1
2: Cathode 2
3: Anode
EIAJ: SC-81
SSMini3-F2 Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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