參數(shù)資料
型號： MA4VAT904-1061T
英文描述： High IIP3 PIN Diode Variable Attenuator (0.80-1.0 GHz)
中文描述： 高IIP3 PIN二極管可變衰減器（0.80-1.0千兆赫）
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： MA4VAT904-1061T
High IIP3 PIN Diode Variable Attenuator
0.80-1.0 GHz
MA4VAT904-1061T
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V2
2
Typical RF Performance Over Industry Designated RF Frequency Bands
Band
Freq
I. Loss
Att.
R. Loss
IIP3
Phase
-Relative-
(MHz)
(dB)
(dB)
(dB)
(dBm)
(Degree)
AMPS
RX
824-849
0.9
22
12
45
-15°
TX
869-894
0.9
22
12
45
GSM
RX
880-915
1.2
20
11
45
-20°
TX
925-960
1.2
20
11
45
Electrical Specifications @ +25 °C
Parameter
Frequency Band
Unit
Min
Typ
Max
No DC Bias RF Parameter
Insertion Loss
0.80 GHz—1.00 GHz
dB
-
1.0
1.2
Input Return Loss
dB
11
12
-
Output Return Loss
dB
11
12
-
P1dB
dBm
30
-
-
Input IP3
dBm
45
49
-
Control Voltage
V
-
0 V @ OuA
-
Maximum Attenuation
0.80 GHz—1.00 GHz
dB
18.5
24
-
Input Return Loss @ Max Attenuation
dB
15
21
-
Output Return Loss @ Max Attenuation
dB
15
21
-
Input IP3
dBm
36
39
-
Control Voltage @ Max Attenuation
V
-
1.9 V @ 1.89 mA
-
DC Bias RF Parameter
Notes:
1. All are typical values only.
2. Relative phase is the measured Insertion Phase difference between Insertion Loss and 15 dB Attenuation. (Please refer
to the plots below)
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PDF描述
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