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參數(shù)資料
| 型號： | MA3Z792D |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.1 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | MA3Z792D |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3Z792D
Silicon epitaxial planar type
For super-high speed switching circuit
For small current rectification
I
Features
Two MA3Z792s diodes (anode common) are contained in the S-
mini type 3-pin package
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 100 mA) condition
Optimum for high-frequency rectification because of its short
reverse recovery time (t
rr
)
Low V
F
(forward rise voltage), with high rectification efficiency
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Marking Symbol: M3Y
1 : Cathode 1
2 : Cathode 2
3 : Anode 1, 2
Flat S-Mini Type Package (3-pin)
Internal Connection
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F
V
R
= 30 V
I
F
= 100 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
15
μ
A
Forward voltage (DC)
0.55
V
Terminal capacitance
C
t
20
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
2
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 250 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
Bias Application Unit N-50BU
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
I
FM
30
V
Repetitive peak reverse voltage
30
V
Peak forward
current
Single
Double
*2
300
mA
200
Average forward
current
Single
Double
*2
I
F(AV)
100
mA
70
Non-repetitive peak forward
surge current
*1
I
FSM
1
A
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note) *1:
The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave (non-repetitive)
*2: Value per chip
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
1
2
3
1.25
±
0.1
1
±
0
2
±
0
0
±
0
0
0
0.425
0.425
0
+
0
0
2.1
±
0.1
0
+
0
0
1
2
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA3Z792E | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z793 | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| MA793 | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
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參數(shù)描述 |
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