參數(shù)資料
型號: MA3Z793
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Schottky Barrier Diodes (SBD)
中文描述: SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI3-F1, SC-79, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大?。?/td> 75K
代理商: MA3Z793
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3Z793
(MA793)
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: August 2001
SKH00098AED
For super high speed switching
For small current rectification
I
Features
Two MA3Z792 (MA792) is contained in one package (series con-
nection)
I
F(AV)
=
100 mA rectification is possible
Optimum for high frequency rectification because of its short
reverse recovery time (t
rr
)
Low forward voltage V
F
and good rectification efficiency
S-Mini type 3-pin package
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: M4A
Internal Connection
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
=
30 V
I
F
=
100 mA
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
15
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F
C
t
t
rr
0.55
V
Terminal capacitance
20
pF
Reverse recovery time
*
2
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
30
V
Repetitive peak reverse-voltage
V
RRM
I
FM
30
V
Peak forward
Single
Series
*2
300
mA
current
200
Average forward
Single
Series
*2
I
F(AV)
100
mA
current
70
Non-repetitive peak forward-
surge-current
*1
I
FSM
1
A
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
1
2
3
1 :Anode 1
2 :Cathode 2
3 :Cathode 1
Anode 2
SMini3-F1 Package
Unit: mm
0.3
2.0
±0.2
1.3
±0.1
(01
3
(0.2
0.9
±0.1
2
±
1
±
0
(
(
5
°
5
°
+0.1
–0
0.15
+0.1
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 250 MHz
3.*: t
rr
measuring instrument
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Note)*1: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
*2: Value per chip
相關PDF資料
PDF描述
MA793 Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA40430H Silicon planar type
MA4047 Silicon planar type
MA4039 Silicon planar type
MAZ41400M Silicon planar type
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MA3Z793(MA793) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號デバイス - ダイオード - ショットキーバリヤダイオード(SBD)
MA3Z79300L 功能描述:DIODE SCHOTT 30V 100MA S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
MA3Z7930GL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 70MA SMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
MA3ZD12 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type
MA3ZD1200L 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 700MA S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879