參數(shù)資料
型號: MA3SD22F
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 0.03 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, SC-81, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大?。?/td> 231K
代理商: MA3SD22F
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: February 2005
SKH00065CED
MA3SD22F
Silicon epitaxial planar type
For cellular phone
■ Features
Low forward voltage: V
F < 0.3 V
High-frequency wave detection is possible
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s = 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i = 50
t
p = 2 s
t
r = 0.35 ns
δ = 0.05
I
F = 10 mA
I
R = 10 mA
R
L = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr = 1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
A
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
30
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
30
V
Forward current
Single
IF
30
mA
Series
20
Peak forward
Single
IFM
150
mA
current
Series
110
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF = 1 mA
0.3
V
VF2
IF = 30 mA
1.0
V
Reverse current
IR
VR
= 30 V
50
A
Terminal capacitance
Ct
VR = 1 V, f = 1 MHz
1.5
pF
Reverse recovery time *
trr
IF = IR = 10 mA
1.0
ns
Irr
= 1 mA, R
L
= 100
Detection efficiency
η
VIN = 3 V(peak) , f = 30 MHz
65
%
RL
= 3.9 k, C
L
= 10 pF
1: Anode 1
2: Cathode 2
3: Cathode 1
Anode 2
EIAJ: SC-81
SSMini3-F2 Package
Unit: mm
Internal Connection
Marking Symbol: M5P
12
3
0.28±0.05
3
12
0.28±0.05
(0.80)
1.60
+0.05
–0.03
0.12
+0.05
–0.02
0.60
+0.05
–0.03
(0.80)
(0.51)
0
to
0.1
(0.15)
3
(0.44)
0.88
(0.375)
+0.05
–0.03
0.80
±
0.05
(0.80)
1.60
±
0.05
3
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 2 GHz.
4. *: trr measurement circuit
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
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http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料
PDF描述
MA3X1000G 0.1 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MA3Z240 240 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MA3Z7920G 0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MA40132 SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE
MA40135 SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE
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參數(shù)描述
MA3SD29F0L 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
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MA3U649 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type (cathode common)