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參數(shù)資料
| 型號： | MA2SD290G |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F4, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 203K |
| 代理商： | MA2SD290G |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: October 2007
SKH00180AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA2SD290G
Silicon epitaxial planar type
For super high speed switching
■ Features
Low forward voltage: V
F < 0.42 V (at IF = 100 mA)
Optimum for high frequency rectification because of its short
reverse recovery time trr .
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
30
V
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
30
V
Forward current (Average)
IF(AV)
100
mA
Peak forward current
IFM
200
mA
Non-repetitive peak forward
IFSM
1A
surge current *
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF
= 10 mA
0.25
0.29
V
VF2
IF = 100 mA
0.39
0.42
Reverse current
IR1
VR = 10 V
25
A
IR2
VR
= 30 V
120
Terminal capacitance
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
11
pF
Reverse recovery time *
trr
IF = IR = 100 mA
1
ns
Irr
= 10 mA, R
L
= 100
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz
4. *: trr measurement circuit
Note) * : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
90%
t
p = 2 s
t
r = 0.35 ns
δ = 0.05
I
F = 100 mA
I
R = 100 mA
R
L = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr = 10 mA
t
r
t
p
t
rr
I
F
t
Bias Application Unit (N-50BU)
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s = 50
Wave Form
Analyzer
(SAS-8130)
R
i = 50
V
R
A
■ Package
Code
SSMini2-F4
Pin Name
1: Anode
2: Cathode
■ Marking Symbol: 8M
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA2SE010G | SILICON, HF BAND, MIXER DIODE |
| MA2YD230G | 1 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA2Z360J | VHF-UHF BAND, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA2Z7200G | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA2ZD020G | 0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA2SD290GL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2SD30 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes Silicon epitaxial planar type For super high speed switching |
| MA2SD3000L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V100MA SSMINI2P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2SD300GL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2SD31 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
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