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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MA2ZD020G |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F3, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | MA2ZD020G |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: October 2007
SKH00189AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA2ZD020G
Silicon epitaxial planar type
For high frequency rectification
■ Features
Small reverse current I
R
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
20
V
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
20
V
Forward current (Average)
IF(AV)
500
mA
Non-repetitive peak forward
IFSM
3A
surge current *
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF
= 10 mA
0.30
0.40
V
VF2
IF = 500 mA
0.50
0.55
Reverse current
IR1
VR = 5 V
1
A
IR2
VR
= 10 V
10
Terminal capacitance
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
60
pF
Reverse recovery time *
trr
IF = IR = 100 mA
5
ns
Irr
= 0.1 I
R, RL
= 100
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s = 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i = 50
t
p = 2 s
t
r = 0.35 ns
δ = 0.05
I
F = 100 mA
I
R = 100 mA
R
L = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr = 0.1 IR
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
A
Note) *: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 400 MHz.
4. *: trr measurement circuit
■ Package
Code
SMini2-F3
Pin Name
1: Anode
2: Cathode
■ Marking Symbol: 2H
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA30B | SILICON, STABISTOR DIODE |
| MA30WB | SILICON, STABISTOR DIODE |
| MA334 | VHF-UHF BAND, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA338 | UHF BAND, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA339 | VHF-UHF BAND, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA2ZD020GL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879 |
| MA2ZD14 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA2ZD1400L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 100MA S-MINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879 |
| MA2ZD140GL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 100MA S-MINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879 |
| MA2ZD18 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
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