- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380303 > M750000009 (Spansion Inc.) 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M750000009 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（8米× 16位），3.0伏的CMOS只，同步讀/寫閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 95/136頁 |
| 文件大?。?/td> | 1250K |
| 代理商： | M750000009 |
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February 5, 2004
Am75PDL191CHH/Am75PDL193CHH
93
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
Table 9.
Device Geometry Definition
Addresses
(Word Mode)
Addresses
(Byte Mode)
Data
Description
27h
4Eh
0017h
Device Size = 2
N
byte
28h
29h
50h
52h
0002h
0000h
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
2Ah
2Bh
54h
56h
0000h
0000h
Max. number of byte in multi-byte write = 2
N
(00h = not supported)
2Ch
58h
0003h
Number of Erase Block Regions within device
2Dh
2Eh
2Fh
30h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
0007h
0000h
0020h
0000h
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
31h
32h
33h
34h
62h
64h
66h
68h
007Dh
0000h
0000h
0001h
Erase Block Region 2 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
35h
36h
37h
38h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
0007h
0000h
0020h
0000h
Erase Block Region 3 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
39h
3Ah
3Bh
3Ch
72h
74h
76h
78h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 4 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
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