參數(shù)資料
型號(hào): M68AW256ML70ZB1T
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
中文描述: 4兆位(256K × 16)3.0V異步SRAM
文件頁數(shù): 17/20頁
文件大?。?/td> 161K
代理商: M68AW256ML70ZB1T
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M68AW256M
Figure 16. TFBGA48 7x8mm - 6x8 ball array, 0.75 mm pitch, Bottom View Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 11. TFBGA48 7x8mm - 6x8 ball array, 0.75 mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.010
1.200
0.0398
0.0472
A1
0.260
0.0102
A2
0.950
0.0374
b
0.400
0.300
0.500
0.0157
0.0118
0.0197
D
7.000
6.900
7.100
0.2756
0.2717
0.2795
D1
3.750
0.1476
ddd
0.100
0.0039
E
8.000
7.900
8.100
0.3150
0.3110
0.3189
E1
5.250
0.2067
e
0.750
0.0295
FD
1.625
0.0640
FE
1.375
0.0541
SD
0.375
0.0148
SE
0.375
0.0148
E1
E
D1
D
e
b
A2
A1
A
BGA-Z22
ddd
FD
FE
SD
SE
e
BALL "A1"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M68AW256ML70ZB6T 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW256MN55ND1T 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW256MN55ND6T 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW256MN55ZB1T 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW256MN55ZB6T 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M68AW256ML70ZB6 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
M68AW256ML70ZB6E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW256ML70ZB6F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW256ML70ZB6T 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
M68AW256ML70ZH1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM