- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370973 > M5M4V64S20ATP-12 (Mitsubishi Electric Corporation) 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M5M4V64S20ATP-12 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64M號(hào)（4銀行甲4194304字× 4位）同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1097K |
| 代理商： | M5M4V64S20ATP-12 |
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M5M4V64S20ATP-8, -10, -12
Jan'97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.0.2)
29
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Ta=0 ~ 70°C, Vdd = VddQ = 3.3 ± 0.3v, Vss = VssQ = 0v, unless otherwise noted)
Output Load Condition
V
OUT
V
REF
=1.4V
50pF
50
V
TT
=1.4V
DQ
CLK
Output Timing
Measurement
Reference Point
1.4V
1.4V
1.4V
1.4V
DQ
CLK
tAC
tOH
tOHZ
Symbol Parameter
Limits
Unit
-8
-10
-12
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
tAC
Access time from CLK
CL=2
8
9
9.5
ns
CL=3
6
8
8
ns
tOH
Output Hold time from
CLK
CL=2
2.5
3
3
ns
CL=3
2.5
3
3
tOLZ
Delay time, output low
impedance from CLK
0
0
0
ns
tOHZ
Delay time, output high
impedance from CLK
2.5
7
3
8
3
8
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V64S20ATP-8 | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8A | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8L | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M51008KR-10L | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
| M5M51008KR-10LL | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M5M4V64S20ATP-8A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
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| M5M4V64S30ATP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
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