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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW032D90ZA1 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位4Mb的× 8，功能的2Mb x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 29/51頁 |
| 文件大小： | 748K |
| 代理商： | M58LW032D90ZA1 |
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M58LW032D
Figure 11. Write AC Waveform, Write Enable Controlled
Note: 1. V
IH
= Device Disabled (first edge of E0, E1 or E2), V
IL
= Device Enabled (first edge of E0, E1 or E2). Refer to Table 2 for more
details.
Table 17. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Symbol
Parameter
Test Condition
M58LW032D
Unit
90 - 110
t
AVWH
Address Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
ns
t
DVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
ns
t
ELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
ns
t
VPHWH
Program/Erase Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
t
WHAX
Write Enable High to Address Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
WHBL
Write Enable High to Status/(Ready/Busy) low
Max
500
ns
t
WHDX
Write Enable High to Input Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
WHEH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
20
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
35
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
Min
30
ns
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
Min
70
ns
AI06241
DQ0-DQ15
STS
(Ready/Busy mode)
W
A0-A21
E2, E1, E0
(1)
G
INPUT
VALID
tWHEH
tAVWH
tWLWH
tELWL
VPEN
tWHAX
tWHWL
tWHDX
tDVWH
tVPHWH
tWHGL
tGHWL
tWHBL
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| M58LW032D90ZA6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
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