參數(shù)資料
型號(hào)： M58BW016DB80ZA6F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512K X 32 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA80
封裝： 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80
文件頁(yè)數(shù)： 20/63頁(yè)
文件大?。?/td> 901K
代理商： M58BW016DB80ZA6F
27/63
Table 10. Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles
Note: TA = –40 to 125°C, VDD = 2.7V to 3.6V, VDDQ = 2.4V to VDD
Parameters
M58BW016B/D
Unit
Min
Typ
Max
VPP = VDD
VPP = 12V
VPP = VDD
VPP = 12V
Parameter Block (64Kb) Program
0.030
0.016
0.060
0.032
s
Main Block (512Kb) Program
0.23
0.13
0.46
0.26
s
Parameter Block Erase
0.8
0.64
1.8
1.5
s
Main Block Erase
1.5
0.9
3
1.8
s
Program Suspend Latency Time
3
10
s
Erase Suspend Latency Time
10
30
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58LW032A 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032A110N1T 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032A110N6T 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032A110ZA1T 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032A110ZA6T 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58BW016DB80ZA6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58BW016DB8T3FF 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories
M58BW016DB8T3FT 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories
M58BW016DB8T3NS1 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel
M58BW016DB8T3TNS 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*