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參數(shù)資料
| 型號： | M52S32162A-7.5BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 9/30頁 |
| 文件大小： | 787K |
| 代理商： | M52S32162A-7.5BG |
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ES MT
Extended Mode Register
BA A11 A10
A9
1
0
0
ATCSR
M52S32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.2
9/30
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0 Address bus
0 0 DS
TCSR
PASR
Extended Mode Register
A2-0
000
001
010
011
100
101
110
111
Self Refresh Coverage
Full Array
1/2 of Full Array
1/4 of Full Array
RFU
RFU
RFU
RFU
RFU
PASR
A6-A5
00
01
10
11
Driver Strength
Full Strength
1/2 Strength
1/4 Strength
RFU
DS
A9
0
1
ATCSR
Enable
R
ATCSR
TRUTH TABLE (Deep Power Down Mode)
COMMAND
CKEn-1
CKEn
CS
L
RAS
H
CAS
H
WE
L
DQM BA A10/AP A9~A0
Entry
H
L
X
Deep Power Down Mode
Exit
L
H
X
X
X
X
X
X
(V= Valid, X= Don’t Care, H= Logic High , L = Logic Low)
A4-A3
11
00
01
10
Maximum Case Temperature
85oC
70oC
45oC
15oC
TCSR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S32162A-7.5TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M538002 | 524,288-Word x 16-Bit or 1,048,576 x 8-Bit Mask ROM |
| M541 | 262,214-Word x 12-Bit Field Memory |
| M541 | TO-220F 5A Triac |
| M541 | Dual Retriggerable One-Shot with Clear and Complementary Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S32321A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32321A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32321A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32321A-10BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32321A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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