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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M52S32162A-7.5BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 787K |
| 代理商： | M52S32162A-7.5BG |
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ES MT
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length=4
M52S32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.2
17/30
*Note: 1.CS can be don’t cared when RAS , CAS and
WE
are high at the clock high going dege.
2.To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
BA
ADDR
A10/AP
CL=2
CL=3
WE
DQM
HIGH
*Note2
RAa
CAa
RBb
RAa
Read
(A-Bank)
Row Active
Row Active
(B-Bank)
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
DQ
CBb
CAc
CBd
CAe
QAa0
*Note1
RBb
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
QAa1 QAa2 QAa3
QBb0
QBb1 QBb2
QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
QBb0 QBb1
QBb2 QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1 QAe0
QAe1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S32162A-7.5TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M538002 | 524,288-Word x 16-Bit or 1,048,576 x 8-Bit Mask ROM |
| M541 | 262,214-Word x 12-Bit Field Memory |
| M541 | TO-220F 5A Triac |
| M541 | Dual Retriggerable One-Shot with Clear and Complementary Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S32321A | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32321A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32321A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32321A-10BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32321A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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