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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M52D32321A-10BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 9/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 707K |
| 代理商： | M52D32321A-10BG |
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ES MT
Extended Mode Register
BA A10
A9
A8
1
0
ATCSR
0 0 DS
M52D32321A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.3
9/29
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0 Address bus
TCSR
PASR
Extended Mode Register
A2-0
000
001
010
011
100
101
110
111
Self Refresh Coverage
Full Array
1/2 of Full Array
1/4 of Full Array
RFU
RFU
RFU
RFU
RFU
PASR
A6-A5
00
01
10
11
Driver Strength
Full Strength
1/2 Strength
1/4 Strength
RFU
DS
A9
0
1
ATCSR
Enable
R
ATCSR
TRUTH TABLE (Deep Power Down Mode)
COMMAND
CKEn-1
CKEn
CS
L
RAS
H
CAS
H
WE
L
DQM BA A10/AP A9~A0
Entry
H
L
X
Deep Power Down Mode
Exit
L
H
X
X
X
X
X
X
(V= Valid, X= Don’t Care, H= Logic High , L = Logic Low)
A4-A3
11
00
01
10
Maximum Case Temperature
85oC
70oC
45oC
15oC
TCSR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D32321A-7.5BG | 512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-10BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-10TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7.5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D32321A-7.5BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32321A-7.5BIG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 1.8V 166MHZ VFBGA90 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM, 32MB, 1.8V, 166MHZ, VFBGA90 |
| M52D32321A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D64164A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D64164A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
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