參數(shù)資料
型號： M50FW080NB5TG
廠商： 意法半導體
英文描述： 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory
中文描述： 8兆1兆× 8，統(tǒng)一座3V電源閃存固件集線器
文件頁數(shù)： 21/47頁
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代理商： M50FW080NB5TG
M50FW080
28/47
Table 20. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Input leakage currents include High-Z output leakage for all bi-directional buffers with tri-state outputs.
Symbol
Parameter
Interface
Test Condition
Min
Max
Unit
VIH
Input High Voltage
FWH
0.5 VCC
VCC + 0.5
V
A/A Mux
0.7 VCC
VCC + 0.3
V
VIL
Input Low Voltage
FWH
–0.5
0.3 VCC
V
A/A Mux
-0.5
0.8
V
VIH(INIT)
INIT Input High Voltage
FWH
1.35
VCC + 0.5
V
VIL(INIT)
INIT Input Low Voltage
FWH
–0.5
0.2 VCC
V
ILI
(2)
Input Leakage Current
0V
≤ VIN ≤ VCC
±10
A
ILI2
IC, IDx Input Leakage
Current
IC, ID0, ID1, ID2, ID3 = VCC
200
A
RIL
IC, IDx Input Pull Low
Resistor
20
100
k
VOH
Output High Voltage
FWH
IOH = –500A
0.9 VCC
V
A/A Mux
IOH = –100A
VCC – 0.4
V
VOL
Output Low Voltage
FWH
IOL = 1.5mA
0.1 VCC
V
A/A Mux
IOL = 1.8mA
0.45
V
ILO
Output Leakage Current
0V
≤ VOUT ≤ VCC
±10
A
VPP1
VPP Voltage
33.6
V
VPPH
VPP Voltage (Fast
Program/Fast Erase)
11.4
12.6
V
VPPLK
(1)
VPP Lockout Voltage
1.5
V
VLKO
(1)
VCC Lockout Voltage
1.8
2.3
V
ICC1
Supply Current (Standby)
FWH
FWH4 = 0.9 VCC, VPP = VCC
All other inputs 0.9 VCC to 0.1 VCC
VCC = 3.6V, f(CLK) = 33MHz
100
A
ICC2
Supply Current (Standby)
FWH
FWH4 = 0.1 VCC, VPP = VCC
All other inputs 0.9 VCC to 0.1 VCC
VCC = 3.6V, f(CLK) = 33MHz
10
mA
ICC3
Supply Current
(Any internal operation
active)
FWH
VCC = VCC max, VPP = VCC
f(CLK) = 33MHz
IOUT = 0mA
60
mA
ICC4
Supply Current (Read)
A/A Mux
G = VIH, f = 6MHz
20
mA
ICC5
(1)
Supply Current
(Program/Erase)
A/A Mux
Program/Erase Controller Active
20
mA
IPP
VPP Supply Current
(Read/Standby)
VPP > VCC
400
A
IPP1
(1)
VPP Supply Current
(Program/Erase active)
VPP = VCC
40
mA
VPP = 12V ± 5%
15
mA
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M50G1241 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Multilayer Ceramic Capacitors
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