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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M50FLW080BN5P |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（13 × 64KB之座3 × 16 × 4KB的部門），3V電源固件集線器/低引腳數(shù)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 46/64頁 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | M50FLW080BN5P |
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DC and AC parameters
M50FLW080A, M50FLW080B
46/64
Figure 16.
A/A Mux interface Read AC waveforms
A/A Mux interface Read AC characteristics
AI03406
tAVAV
tCLAX
tCHAX
tGLQX
tGLQV
tGHQX
VALID
A0-A10
G
DQ0-DQ7
RC
tCHQV
tGHQZ
COLUMN ADDR VALID
W
RP
tPHAV
ROW ADDR VALID
NEXT ADDR VALID
tAVCL
tAVCH
Table 28.
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
t
AVAV
Read Cycle Time
Min
250
ns
t
AVCL
Row Address Valid to RC Low
Min
50
ns
t
CLAX
RC Low to Row Address Transition
Min
50
ns
t
AVCH
Column Address Valid to RC high
Min
50
ns
t
CHAX
t
CHQV(1)
t
GLQV(1)
RC High to Column Address Transition
Min
50
ns
RC High to Output Valid
Max
150
ns
Output Enable Low to Output Valid
Max
50
ns
t
PHAV
RP High to Row Address Valid
Min
1
μ
s
t
GLQX
Output Enable Low to Output Transition
Min
0
ns
t
GHQZ
Output Enable High to Output Hi-Z
Max
50
ns
t
GHQX
Output Hold from Output Enable High
Min
0
ns
1.
G may be delayed up to t
CHQV
– t
GLQV
after the rising edge of RC without impact on t
CHQV
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M50FLW080BN5TP | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080BNB5P | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080BNB5TP | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080AK5P | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080AK5TP | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M50FLW080BN5T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080BN5TG | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 40TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| M50FLW080BN5TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080BNB5 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080BNB5G | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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