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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M378T3253FG0-CE6 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.45 ns, DMA240 |
| 封裝： | DIMM-240 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | M378T3253FG0-CE6 |
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Rev. 1.3 Aug. 2005
256MB, 512MB Unbuffered DIMMs
DDR2 SDRAM
Input/Output Capacitance(VDD=1.8V, VDDQ=1.8V, TA=25oC)
* DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Units
Non-ECC
M378T3253FG(Z)3
M378T3253FG(Z)0
M378T6453FG(Z)3
M378T6453FG(Z)0
Input capacitance, CK and CK
CCK0
-
24
-
26
pF
CCK1
-
25
-
28
CCK2
-
25
-
28
Input capacitance, CKE and CS
CI1
-
42
-
42
Input capacitance, Addr,RAS,CAS,WE
CI2
-
42
-
42
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
-
6
-
10
ECC
Symbol
M391T3253FG(Z)3
M391T3253FG(Z)0
M391T6453FG(Z)3
M391T6453FG(Z)0
Units
Input capacitance, CK and CK
CCK0
-
25
-
28
pF
CCK1
-
25
-
28
CCK2
-
25
-
28
Input capacitance, CKE and CS
CI1
-
44
-
44
Input capacitance, Addr,RAS,CAS,WE
CI2
-
44
-
44
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
-
6
-
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M93C06-DS3TG | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| M93C06-WDS7 | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| MT2VDDT832UY-75XX | 8M X 32 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA100 |
| MB84VD22183EA-85PBS | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| MB84VD22184EA-90PBS | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M378T3253FG0-D5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M378T3253FG3-CCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M378T3253FG3-CD5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M378T3253FG3-CE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M378T3253FGZ0-CE6/D5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
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