參數(shù)資料
型號(hào)： M36W832Te70ZA6S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
中文描述： 32兆位的2Mb x16插槽，引導(dǎo)塊閃存和8兆位的SRAM 512KB的x16，內(nèi)存產(chǎn)品多
文件頁(yè)數(shù)： 32/64頁(yè)
文件大?。?/td> 897K
代理商： M36W832TE70ZA6S
M36W832TE, M36W832BE
32/64
Table 17. Flash Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if V
PPF
is seen as a logic input (V
PPF
< 3.6V).
Symbol
Alt
Parameter
Flash Device
Unit
70
85
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min
70
85
ns
t
AVWH
t
AS
Address Valid to Write Enable High
Min
45
45
ns
t
DVWH
t
DS
Data Valid to Write Enable High
Min
45
45
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
ELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
85
ns
t
QVVPL
(1,2)
Output Valid to V
PPF
Low
Min
0
0
ns
t
QVWPL
Output Valid to Write Protect Low
Min
0
0
ns
t
VPHWH
(1)
t
VPS
V
PPF
High to Write Enable High
Min
200
200
ns
t
WHAX
t
AH
Write Enable High to Address Transition
Min
0
0
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Data Transition
Min
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
ns
t
WHEL
Write Enable High to Chip Enable Low
Min
25
25
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
20
20
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
25
25
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
45
45
ns
t
WPHWH
Write Protect High to Write Enable High
Min
45
45
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M36W832Te70ZA6T 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W832Te85ZA6S 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W832Te85ZA6T 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36WT864 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36WT864B70ZA6T 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M36W832TE70ZA6T 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M36W832TE85ZA1S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W832TE85ZA1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W832TE85ZA6S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W832TE85ZA6T 功能描述:組合存儲(chǔ)器 32M (2Mx16) 85ns RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray
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