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參數(shù)資料
| 型號： | M368L6423ETM |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的緩沖模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 8/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 287K |
| 代理商： | M368L6423ETM |
DDR SDRAM
Revision 1.0 December, 2003
256MB, 512MB DDR466 Unbuffered DIMM
512MB, 64M x 72 ECC Module (M381L6423ETM)
(Populated as 2 bank of x8 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D0
DM0
DM
D9
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D1
DM
D10
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM1
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D2
DM
D11
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM2
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D3
DM
D12
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM3
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D4
DM
D13
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D5
DM
D14
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM5
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D6
DM
D15
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D7
DM
D16
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM7
CS0
CS1
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
DQS0
DQS
DM4
DQS1
DQS5
DQS
DQS
DQS2
DQS
DQS
DQS3
DQS
DQS
DM6
DQS6
DQS7
CB4
CB5
CB6
CB7
CB0
CB1
CB2
CB3
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D8
DM
D17
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
CS
CS
DQS8
DM8
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
V
SS
D0 - D17
D0 - D17
V
DD
/V
DDQ
D0 - D17
D0 - D17
VREF
V
DDSPD
SPD
* Clock Wiring
Clock
Input
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
SDRAMs
6 SDRAMs
6 SDRAMs
6 SDRAMs
Notes :
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 3.0 Ohms +
5%
A0 - A12
A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D17
RAS
RAS : DDR SDRAMs D0 - D17
CAS
CAS : DDR SDRAMs D0 - D17
WE
WE : DDR SDRAMs D0 - D17
CKE1
CKE : DDR SDRAMs D9 - D17
BA0 - BA1
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D17
CKE0
CKE : DDR SDRAMs D0 - D8
Card
Edge
D3/D0/D5
D4/D1/D6
D8/D2/D7
D17/D9/D14
D12/D10/D15
D13/D11/D16
R=120
CK0/1/2
*D8, D17 is assigned for ECC Comp.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M368L6423ETM-CCC4 | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M368L6423ETN-A2 | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M368L6423ETN-AA | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M368L6423ETN-B0 | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M368L6423ETN-CB3 | DDR SDRAM Unbuffered Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M368L6423ETM-CC5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC |
| M368L6423ETM-CCC4 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M368L6423ETM-LC5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC |
| M368L6423ETN-A2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M368L6423ETN-AA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module |
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