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參數(shù)資料
| 型號： | M312L5720DZ3-CB3 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
| 文件頁數(shù)： | 6/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 661K |
| 代理商： | M312L5720DZ3-CB3 |
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DDR SDRAM
512MB, 1GB, 2GB Registered DIMM
Rev. 1.0 April 2006
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
1,360
mA
IDD1
1,630
mA
IDD2P
350
mA
IDD2F
770
mA
IDD2Q
530
mA
IDD3P
570
mA
IDD3N
910
mA
IDD4R
1,630
mA
IDD4W
1,670
mA
IDD5
2,260
mA
IDD6
Normal
350
mA
Low power
330
mA
IDD7A
3,430
mA
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
2,010
mA
IDD1
2,280
mA
IDD2P
540
mA
IDD2F
1,290
mA
IDD2Q
900
mA
IDD3P
990
mA
IDD3N
1,560
mA
IDD4R
2,280
mA
IDD4W
2,330
mA
IDD5
2,910
mA
IDD6
Normal
540
mA
Low power
510
mA
IDD7A
4,080
mA
9.1 512MB, 64M x 72 ECC Module (M312L6523DUS)
9.2 1GB, 128M x 72 ECC Module (M312L2923DUS)
9.0 DDR SDRAM IDD spec table
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M32002AMMJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT |
| M32016BGPJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, PECL OUTPUT |
| M32026AUMJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT |
| M32012BGPJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, PECL OUTPUT |
| M32022BMLJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, LVDS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M312L6420ETS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6420HUS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide |
| M312L6420HUS-CB000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:256 DDR SDRAM MODUL X72 TSOP2-400(LF) - Trays |
| M312L6420JUS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide |
| M312L6423ETS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
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