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參數(shù)資料
| 型號： | M2V64S30BTP-8L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 6400位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 44/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 674K |
| 代理商： | M2V64S30BTP-8L |
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MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
A
0-9 *
A
10
DQM(U/L)
A
11
Apr. '99
SDRAM (Rev.1.2)
M2V64S20BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT)
M2V64S30BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT)
M2V64S40BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT)
64M bit Synchronous DRAM
* A9 (x8) and A8,A9 (x16) for column address of read/write are don't care
44
Read Interrupted by Precharge @BL=4 CL=3
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
BA0,1
DQ
X
X
X
0
Y
0
Q0
Q0
Q0
ACT#0
READ#0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
tRCD
Y
1
PRE#1
CLK
X
X
X
1
tRRD
Q1
Q1
ACT#1
PRE#0
Q0
DQM read latency=2
1
Y
1
Burst Read is not interrupted
by Precharge of the other bank.
0
X
X
X
1
tRCD
tRP
READ#1
ACT#1
READ#1
Burst Read is interrupted
by Precharge of the same bank.
Italic parameter
indicates minimum case
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V64S30DTP | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S30DTP-6 | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S30DTP-6L | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S30DTP-7 | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S30DTP-7L | 64M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V64S30DTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M Synchronous DRAM |
| M2V64S30DTP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M Synchronous DRAM |
| M2V64S30DTP-6L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M Synchronous DRAM |
| M2V64S30DTP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M Synchronous DRAM |
| M2V64S30DTP-7L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M Synchronous DRAM |
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