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參數(shù)資料
| 型號： | M2V56S30TP |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/49頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | M2V56S30TP |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
30
AVERAGE SUPPLY CURRENT from Vdd
(Ta=0 ~ 70
°
C, Vdd = VddQ = 3.3
±
0.3V, Vss = VssQ = 0V, Output Open, unless otherwise noted)
Notes
1.
2.
3.
4.
5.
addresses are changed 3 times during tRC, only 1 bank is active & all other banks are idle
all banks are idle
input signals are changed one time during 3xtCLK
input signals are stable
all banks are active
AC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS
(Ta=0 ~ 70
°
C, Vdd = VddQ = 3.3
±
0.3V, Vss = VssQ = 0V, unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Limits
Min.
Max.
Unit
VOH(DC)
VOL(DC)
IOZ
I
I
High-Level Output Voltage (DC)
Low-Level Output Voltage (DC)
Off-state Output Current
Input Current
IOH=-2mA
IOL= 2mA
Q floating Vo=0 ~ VddQ
VIH=0 ~ VddQ+0.3V, other input pins=0V
2.4
0.4
V
V
μ
A
μ
A
-10
-10
10
10
mA
3
3
-6/-7/-8
CKE
≤
0.2v
Self-Refresh Current
Icc6
120
100
90
110
100
90
90
80
x16
x8
x4
x16
x8
x4
Organiz
ation
4,5
3,5
2,4
2,3
5
5
mA
4
mA
4
4
5
tCLK=
∞
, CKE
≤
VILmax
tCLK=min, CKE
≥
VIHmin,
/CS
≥
VIHmin
tCLK=min, CKE
≤
VILmax
Active Standby Current
in Power Down Mode
Icc3PS
Icc3P
2
1
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
170
90
15
25
6
20
1
1
80
180
110
15
30
6
25
1
1.5
90
tCLK=min, tRFC=min
Auto-Refresh Current
Icc5
tCLK=min, BL=4, gapless data
Burst Operating
Current
Icc4
tCLK=
∞
, CKE
≥
VIHmin
Active Standby Current
in Normal Mode
Icc3NS
Icc3N
tCLK=
∞
, CKE
≥
VIHmin
tCLK=min, CKE
≥
VIHmin,
/CS
≥
VIHmin
Idle Standby Current
in Normal Mode
Icc2NS
Icc2N
tCLK=
∞
, CKE
≤
VILmax
tCLK=min, CKE
≤
VILmax
Icc2PS
Icc2P
Idle Standby Current
in Power Down Mode
tCLK=min, tRC=min, BL=1
Operating Current
(1bank)
Icc1
Note
Unit
100
MHz
133
MHz
Limits(max)
Test Conditions
Parameter
Symbol
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S30TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP | 256M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40AKT | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40AKT-5 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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