- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370828 > M2V56D40AKT-10L (Mitsubishi Electric Corporation) JT 6C 6#22D SKT PLUG PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M2V56D40AKT-10L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | JT 6C 6#22D SKT PLUG |
| 中文描述： | 256M雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 32/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 768K |
| 代理商： | M2V56D40AKT-10L |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁當前第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
32
MITSUBISHI ELECTRIC
Mar. '02
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM
(Rev.1.44)
M2S56D20/ 30/ 40ATP -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10
M2S56D20/ 30/ 40AKT -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10
256M Double Data Rate Synchronous DRAM
Burst read operation can be interrupted by a burst stop command(TERM). READ to TERM interval is 1 CLK
minimum. The time between TERM command to output disable is equal to the CAS Latency. As a result, READ
to TERM interval determines valid data length to be outputted. The figure below shows example of BL=8.
[Read Interrupted by Burst Stop]
Read Interrupted by TERM (BL=8)
CL=2.5
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
/CLK
CLK
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
CL=2.0
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0 Q1
Q2
Q3
Q0 Q1
DQ
Q0 Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2S56D40AKT-10L | JT 4C 4#22 SKT PLUG |
| M2V56D20AKT-75 | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D20AKT-75 | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V56D30AKT-75 | JT 13C 13#22D SKT GRND PLUG |
| M2S56D30AKT-75 | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56D40AKT-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V56D40AKT-75A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V56D40AKT-75AL | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V56D40AKT-75L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V56D40ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。