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參數(shù)資料
| 型號： | M29W640DB90ZA1E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位和8Mb x8或4Mb的x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 33/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 945K |
| 代理商： | M29W640DB90ZA1E |
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33/49
M29W640DT, M29W640DB
Note: 1. Used as the Extended Block Addresses in Extended Block mode.
Table 20. Bottom Boot Block Addresses, M29W640DB
124
64/32
Protection Group
7C0000h–7CFFFFh
3E0000h–3E7FFFh
125
64/32
7D0000h–7DFFFFh
3E8000h–3EFFFFh
126
64/32
7E0000h–7EFFFFh
3F0000h–3F7FFFh
127
8/4
7F0000h–7F1FFFh
(1)
3F8000h–3F8FFFh
(1)
128
8/4
7F2000h–7F3FFFh
(1)
3F9000h–3F9FFFh
(1)
129
8/4
7F4000h–7F5FFFh
(1)
3FA000h–3FAFFFh
(1)
130
8/4
7F6000h–7F7FFFh
(1)
3FB000h–3FBFFFh
(1)
131
8/4
7F8000h–7F9FFFh
(1)
3FC000h–3FCFFFh
(1)
132
8/4
7FA000h–7FBFFFh
(1)
3FD000h–3FDFFFh
(1)
133
8/4
7FC000h–7FDFFFh
(1)
3FE000h–3FEFFFh
(1)
134
8/4
7FE000h–7FFFFFh
(1)
3FF000h–3FFFFFh
(1)
Block
KBytes/
KWords
Protection Block
Group
(x8)
(x16)
0
8/4
Protection Group
000000h-001FFFh
(1)
000000h–000FFFh
(1)
1
8/4
002000h-003FFFh
(1)
001000h–001FFFh
(1)
2
8/4
004000h-005FFFh
(1)
002000h–002FFFh
(1)
3
8/4
006000h-007FFFh
(1)
003000h–003FFFh
(1)
4
8/4
008000h-009FFFh
(1)
004000h–004FFFh
(1)
5
8/4
00A000h-00BFFFh
(1)
005000h–005FFFh
(1)
6
8/4
00C000h-00DFFFh
(1)
006000h–006FFFh
(1)
7
8/4
00E000h-00FFFFh
(1)
007000h–007FFFh
(1)
8
64/32
010000h-01FFFFh
008000h–00FFFFh
9
64/32
020000h-02FFFFh
010000h–017FFFh
10
64/32
030000h-03FFFFh
018000h–01FFFFh
11
64/32
Protection Group
040000h-04FFFFh
020000h–027FFFh
12
64/32
050000h-05FFFFh
028000h–02FFFFh
13
64/32
060000h-06FFFFh
030000h–037FFFh
14
64/32
070000h-07FFFFh
038000h–03FFFFh
Block
KBytes/
KWords
Protection Block
Group
(x8)
(x16)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W640DB | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W640DB70N1E | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W640DB70N1F | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W640DB70N1T | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W640DB70N6E | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W640DB90ZA6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W640DB90ZA6T | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 8MX8/4MX16 90NS 63TFBGA - Tape and Reel |
| M29W640DT90N6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W640DT90N6E | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W640DT90ZA6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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