參數(shù)資料
型號： M29W160DT70M6T
廠商： 意法半導體
英文描述： Dual Inverter Gate 6-SC70 -40 to 85
中文描述： 16兆位的2Mb x8或1兆x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 9/40頁
文件大小： 665K
代理商： M29W160DT70M6T
9/40
M29W160ET, M29W160EB
Figure 6. Block Addresses (x16)
Note: Also see Appendix A, Tables 19 and 20 for a full listing of the Block Addresses.
AI06852
8 KWord
FFFFFh
FE000h
FDFFFh
32 KWord
0FFFFh
08000h
07FFFh
32 KWord
00000h
M29W160ET
Top Boot Block Addresses (x16)
16 KWord
FBFFFh
F8000h
F7FFFh
32 KWord
F0000h
Total of 31
32 KWord Blocks
8 KWord
FFFFFh
F8000h
F7FFFh
32 KWord
32 KWord
01FFFh
00000h
M29W160EB
Bottom Boot Block Addresses (x16)
16 KWord
0FFFFh
32 KWord
F0000h
08000h
07FFFh
Total of 31
32 KWord Blocks
04000h
03FFFh
4 KWord
4 KWord
FD000h
FCFFFh
FC000h
4 KWord
4 KWord
03000h
02FFFh
02000h
相關PDF資料
PDF描述
M29W160DT70N1T Quadruple 2-Input Positive-OR Gate 14-VQFN -40 to 85
M29W160DT70N6T 32-Bit Buffer/Driver with 3-State Outputs 96-LFBGA -40 to 85
M29W160DT70ZA1T 32-Bit Bus Transceiver With 3-State Outputs 96-LFBGA -40 to 85
M29W160DT70ZA6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M29W160DT70N1 功能描述:閃存 RO 511-M29W160ET70N1 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W160DT70N1E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT70N1F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT70N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT70N6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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