參數(shù)資料
型號： M29W160DT70M6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Dual Inverter Gate 6-SC70 -40 to 85
中文描述： 16兆位的2Mb x8或1兆x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 37/40頁
文件大?。?/td> 665K
代理商： M29W160DT70M6T
37/40
M29W160ET, M29W160EB
Figure 19. In-System Equipment Block Protect Flowchart
AI03471
WRITE 60h
ADDRESS = BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIL
n = 0
Wait 100μs
WRITE 40h
ADDRESS = BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIL
RP = VIH
++n
= 25
START
FAIL
PASS
YES
NO
DATA
=
01h
YES
NO
RP = VIH
Wait 4μs
V
P
S
E
READ DATA
ADDRESS = BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIL
RP = VID
ISSUE READ/RESET
COMMAND
ISSUE READ/RESET
COMMAND
WRITE 60h
ADDRESS = BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W160DT70N1T Quadruple 2-Input Positive-OR Gate 14-VQFN -40 to 85
M29W160DT70N6T 32-Bit Buffer/Driver with 3-State Outputs 96-LFBGA -40 to 85
M29W160DT70ZA1T 32-Bit Bus Transceiver With 3-State Outputs 96-LFBGA -40 to 85
M29W160DT70ZA6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W160DT70N1 功能描述:閃存 RO 511-M29W160ET70N1 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W160DT70N1E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT70N1F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT70N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT70N6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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