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參數(shù)資料
| 型號： | M29W040-150K1R |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Dual Low-Noise High-Speed Precision Operational Amplifier 8-SOIC |
| 中文描述： | 4兆位512KB的× 8，統(tǒng)一座低電壓單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 205K |
| 代理商： | M29W040-150K1R |
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READ DQ5 &
DQ7
at VALID ADDRESS
START
READ DQ7
FAIL
PASS
AI01369
DQ7
DATA
YES
NO
YES
NO
DQ5
= 1
DQ7
DATA
YES
NO
Figure 10. DataPolling Flowchart
READ
DQ5 & DQ6
START
READ DQ6
FAIL
AI01370
DQ6
TOGGLE
NO
NO
YES
YES
DQ5
= 1
NO
YES
DQ6
TOGGLE
Figure 11. Data Toggle Flowchart
Parameter
M29W040
Unit
Min
Typ
Max
Chip Program (Byte)
6
sec
Chip Erase (Preprogrammed)
2.5
30
sec
Chip Erase
8.5
sec
Block Erase (Preprogrammed)
1.5
30
sec
Block Erase
2
sec
Byte Program
12
2200
μ
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Table16. Program,Erase Times and Program,Erase Endurance Cycles
(T
A
= 0 to 70
°
C; V
CC
= 2.7V to 3.6V)
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M29W040
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W040-150K1TR | Dual Low-Noise High-Speed Precision Operational Amplifier 8-PDIP |
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| M29W040-150K5TR | Excalibur Low-Noise High-Speed Precision Dual Operational Amplifier 8-SOIC |
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| M29W040-150K6TR | Excalibur Low-Noise High-Speed Precision Dual Operational Amplifier 8-SOIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W040-150K1TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040-150K5R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W040-150K5TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
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