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參數(shù)資料
| 型號： | M29KW064E90ZA1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源LightFlash⑩記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 17/30頁 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | M29KW064E90ZA1T |
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M29KW064E
Table 12. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
,
f = 6MHz
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
100
μ
A
I
CC3
Supply Current (Program/Erase)
P/E.C. active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.3
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
V
V
HH
V
PP
Program/Erase Voltage
11.4
12.6
V
I
HH1
V
PP
Current (Read/Standby)
V
PP
= V
HH
100
μ
A
I
HH2
V
PP
Current (Program/Erase)
P/E.C. Active
10
mA
V
LKO
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
1.8
2.3
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29KW064E110N1T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29KW064E110ZA1T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29KW064E90N1T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29KW064E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29W002BB | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29LV800B | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| M29TS-606120A | 制造商:SUPERWORLD 制造商全稱:Superworld Electronics 功能描述:INTEGRATED MODULAR JACK |
| M29TS-606121A | 制造商:SUPERWORLD 制造商全稱:Superworld Electronics 功能描述:INTEGRATED MODULAR JACK |
| M29TS-606260A | 制造商:SUPERWORLD 制造商全稱:Superworld Electronics 功能描述:INTEGRATED MODULAR JACK |
| M29TS-606261A | 制造商:SUPERWORLD 制造商全稱:Superworld Electronics 功能描述:INTEGRATED MODULAR JACK |
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