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參數資料
| 型號： | M29F800DB70N3F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數： | 24/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 622K |
| 代理商： | M29F800DB70N3F |
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Table 23. CFI Query System Interface Information
Note: 1. Not supported in the CFI
Address
Data
Description
Value
x16
x8
1Bh
36h
0045h
VCC Logic Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
4.5V
1Ch
38h
0055h
VCC Logic Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
5.5V
1Dh
3Ah
0000h
VPP [Programming] Supply Minimum Program/Erase voltage
NA
1Eh
3Ch
0000h
VPP [Programming] Supply Maximum Program/Erase voltage
NA
1Fh
3Eh
0004h
Typical timeout per single byte/word program = 2n s
16s
20h
40h
0000h
Typical timeout for minimum size write buffer program = 2n s
NA
21h
42h
000Ah
Typical timeout per individual block erase = 2n ms
1s
22h
44h
0000h
Typical timeout for full chip erase = 2n ms
see note (1)
23h
46h
0004h
Maximum timeout for byte/word program = 2n times typical
256s
24h
48h
0000h
Maximum timeout for write buffer program = 2n times typical
NA
25h
4Ah
0003h
Maximum timeout per individual block erase = 2n times typical
8s
26h
4Ch
0000h
Maximum timeout for chip erase = 2n times typical
see note (1)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F800DB90N6T | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| M29W160BT90ZA6 | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| M29W400BT70M6T | 256K X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| M29W640GB70ZA6F | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| M2Y51264TU88A2G-37B | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M29F800DB70N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800DB70N6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800DB70N6F | 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800DB70N6T | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800DT55M1 | 功能描述:閃存 SO-44 1MX8/512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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