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參數(shù)資料
| 型號： | M29F800DB70N3F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 11/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 622K |
| 代理商： | M29F800DB70N3F |
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DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating measure-
ment conditions, and the DC and AC characteris-
tics of the device. The parameters in the DC and
AC characteristics Tables that follow, are derived
from tests performed under the Measurement
Conditions summarized in Table 9, Operating and
AC Measurement Conditions. Designers should
check that the operating conditions in their circuit
match the operating conditions when relying on
the quoted parameters.
Table 9. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 9. AC Measurement I/O Waveform
Figure 10. AC Measurement Load Circuit
Table 10. Device Capacitance
Note: Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M29F800D
Unit
55
70/ 90
Min
Max
Min
Max
VCC Supply Voltage
4.5
5.5
4.5
5.5
V
Ambient Operating Temperature (range 1)
0
70
0
70
°C
Ambient Operating Temperature (range 3)
–40
125
–40
125
°C
Ambient Operating Temperature (range 6)
–40
85
–40
85
°C
Load Capacitance (CL)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
10
ns
Input Pulse Voltages
0 to 3
0.45 to 2.4
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.5
0.8 and 2.0
V
AI05276
3V
High Speed (55ns)
0V
1.5V
2.4V
Standard (70, 90ns)
0.45V
2.0V
0.8V
AI05277
1.3V
OUT
CL
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
VCC
0.1F
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
6pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0V
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F800DB90N6T | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| M29W160BT90ZA6 | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| M29W400BT70M6T | 256K X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| M29W640GB70ZA6F | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| M2Y51264TU88A2G-37B | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M29F800DB70N6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800DB70N6F | 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800DB70N6T | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800DT55M1 | 功能描述:閃存 SO-44 1MX8/512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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