參數(shù)資料
型號(hào)： M29F040-90XN6TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-SOIC
中文描述： 4兆位512KB的× 8，統(tǒng)一座單電源閃存
文件頁數(shù)： 15/31頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： M29F040-90XN6TR
Symbol
Alt
Parameter
M29F040
Unit
-120
-150
V
CC
= 5V
±
10%
V
CC
= 5V
±
10%
Standard
Interface
Standard
Interface
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
120
150
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
0
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
20
20
ns
t
AVWL
t
AS
Address Valid to Write Enable Low
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
50
50
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
0
0
ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
High to Chip Enable Low
50
50
μ
s
t
WHQV1
(1)
Write Enable High to Output Valid (Program)
10
10
μ
s
t
WHQV2
(1)
Write Enable High to Output Valid
(Block Erase)
1.0
30
1.0
30
sec
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
0
0
ns
Note:
1. Time is measured to Data Polling or Toggle Bit, t
WHQV
= t
WHQ7V
+ t
Q7VQV
Table 13B. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C, –40 to 85
°
C or –40 to 125
°
C)
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M29F040
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29F040-90XN6R Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-SOIC
M29F040-90XN5R Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-PDIP
M29F040-90XN3TR Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-PDIP
M29F040-90XN1TR Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-SOIC
M29F040-90XK6TR Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-SOIC
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參數(shù)描述
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M29F040B_05 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory
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M29F040B120K1T 功能描述:閃存 4M (512Kx8) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F040B120N1 功能描述:閃存 4M (512Kx8) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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