參數(shù)資料
型號(hào)： M29DW640D70ZA1E
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位（8兆x8或4Mb的x16插槽，多行，頁(yè)，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 31/56頁(yè)
文件大?。?/td> 942K
代理商： M29DW640D70ZA1E
31/56
M29DW640D
Table 15. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29DW640D
Unit
70
90
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
70
90
ns
t
AVQV1
t
PAGE
Address Valid to Output Valid (Page)
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
25
30
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
70
90
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output
Transition
E = V
IL
Min
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
30
35
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
25
30
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
25
30
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or
Address Transition to Output Transition
Min
0
0
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
Max
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Low to Output Hi-Z
Max
25
30
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE High to Output Valid
Max
30
40
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29DW640D70ZA1 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640D70N6T 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640D70N6F 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640D70N6E 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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參數(shù)描述
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