參數(shù)資料
型號(hào)： M28W160ECT70ZB6E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 44/50頁(yè)
文件大?。?/td> 860K
代理商： M28W160ECT70ZB6E
M28W160ECT, M28W160ECB
44/50
Figure 21. Erase Suspend & Resume Flowchart and Pseudo Code
Write 70h
AI03542b
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b6 = 1
Erase Continues
Write D0h
Read data from
another block
or
Program/Protection Program
or
Block Protect/Unprotect/Lock
Start
Write B0h
Erase Complete
Write FFh
Read Data
Write FFh
erase_suspend_command ( ) {
writeToFlash (any_address, 0xB0) ;
writeToFlash (any_address, 0x70) ;
/* read status register to check if
erase has already completed */
do {
status_register=readFlash (any_address) ;
/* E or G must be toggled*/
} while (status_register.b7== 0) ;
if (status_register.b6==0) /*erase completed */
{ writeToFlash (any_address, 0xFF) ;
read_data ( ) ;
/*read data from another block*/
/*The device returns to Read Array
(as if program/erase suspend was not issued).*/
}
else
{ writeToFlash (any_address, 0xFF) ;
read_program_data ( );
/*read or program data from another address*/
writeToFlash (any_address, 0xD0) ;
/*write 0xD0 to resume erase*/
}
}
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M28W160ECT70ZB6F 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT70ZB6S 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT70ZB6T 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT70ZB6U 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT85N1E 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M28W160ECT70ZB6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NUMONYX, IC, FLASH, 1M X 16, 70NS, 3-3.3V - Bulk
M28W160ECT70ZB6S 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT70ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT70ZB6U 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 46TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
M28W160ECT85N1 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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