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參數資料
| 型號： | M28W160ECT70ZB6E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數： | 37/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 860K |
| 代理商： | M28W160ECT70ZB6E |
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37/50
M28W160ECT, M28W160ECB
Table 28. Device Geometry Definition
Offset Word
Mode
Data
Description
Value
27h
0015h
Device Size = 2
n
in number of bytes
2 MByte
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface Code description
x16
Async.
2Ah
2Bh
0002h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2
n
4
2Ch
0002h
Number of Erase Block Regions within the device.
It specifies the number of regions within the device containing contiguous
Erase Blocks of the same size.
2
M
2Dh
2Eh
001Eh
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 001Eh+1
31
2Fh
30h
0000h
0001h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0100h * 256 byte
64 KByte
31h
32h
0007h
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
33h
34h
0020h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0020h * 256 byte
8 KByte
M
2Dh
2Eh
0007h
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
2Fh
30h
0020h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0020h * 256 byte
8 KByte
31h
32h
001Eh
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 001Eh+1
31
33h
34h
0000h
0001h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0100h * 256 byte
64 KByte
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160ECT70ZB6F | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT70ZB6S | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT70ZB6T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT70ZB6U | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT85N1E | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M28W160ECT70ZB6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NUMONYX, IC, FLASH, 1M X 16, 70NS, 3-3.3V - Bulk |
| M28W160ECT70ZB6S | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT70ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT70ZB6U | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 46TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M28W160ECT85N1 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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