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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28R400CTB90ZB1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（256Kb的x16插槽，引導(dǎo)塊）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 15/50頁 |
| 文件大小： | 755K |
| 代理商： | M28R400CTB90ZB1T |
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Table 14. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤ VIN ≤ VDDQ
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤ VOUT ≤VDDQ
±10
A
IDD
Supply Current (Read)
E = VSS, G = VIH, f = 5MHz
10
20
mA
IDD1
Supply Current (Stand-by or
Automatic Stand-by)
E = VDDQ ± 0.2V,
RP = VDDQ ± 0.2V
15
50
A
IDD2
Supply Current
(Reset)
RP = VSS ± 0.2V
15
50
A
IDD3
Supply Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
10
20
mA
Program in progress
VPP = VDD
10
20
mA
IDD4
Supply Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
520
mA
Erase in progress
VPP = VDD
520
mA
IDD5
Supply Current
(Program/Erase Suspend)
E = VDDQ ± 0.2V,
Erase suspended
50
A
IPP
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP > VDD
400
A
IPP1
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP ≤ VDD
5A
IPP2
Program Current (Reset)
RP = VSS ± 0.2V
5A
IPP3
Program Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
10
mA
Program in progress
VPP = VDD
5A
IPP4
Program Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
10
mA
Erase in progress
VPP = VDD
5A
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
VIH
Input High Voltage
VDDQ –0.4
VDDQ +0.4
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
0.1
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
VDDQ –0.1
V
VPP1
Program Voltage (Program or
Erase operations)
1.65
2.2
V
VPPH
Program Voltage
(Program or Erase
operations)
11.4
12.6
V
VPPLK
Program Voltage
(Program and Erase lock-out)
1V
VLKO
VDD Supply Voltage (Program
and Erase lock-out)
2V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28R400CTB90ZB6T | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTT120ZB1T | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28W320ECT10N1F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| M28W320ECB10N6F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| M28W320ECT85N6 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28R400CTB90ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CT-KGD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Known Good Die 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTT120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTT120ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTT90ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
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