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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28F201-90N6TR |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8-Input Positive-NAND Gates 14-SO 0 to 70 |
| 中文描述： | 2 MB的256K × 8，芯片擦除閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | M28F201-90N6TR |
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Figure8. EraseSet-up and Erase VerifyCommands Waveforms,W Controlled
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M28F201
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28F201-90XK1TR | 8-Input Positive-NAND Gates 14-SO 0 to 70 |
| M28F201-90XK6TR | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-90XN1TR | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-90XN3TR | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-90XN6R | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28F201-90XK1R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-90XK1TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-90XK3R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-90XK3TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-90XK6R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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