參數(shù)資料
型號(hào)： M28F201-90K6TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8-Input Positive-NAND Gates 14-SOIC 0 to 70
中文描述： 2 MB的256K × 8，芯片擦除閃存
文件頁(yè)數(shù)： 18/21頁(yè)
文件大小： 179K
代理商： M28F201-90K6TR
PLCC
D
D1
Ne
E1 E
1 N
Nd
CP
B
D2/E2
e
B1
A1
A
Symb
mm
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
2.54
3.56
0.100
0.140
A1
1.52
2.41
0.060
0.095
B
0.33
0.53
0.013
0.021
B1
0.66
0.81
0.026
0.032
D
12.32
12.57
0.485
0.495
D1
11.35
11.56
0.447
0.455
D2
9.91
10.92
0.390
0.430
E
14.86
15.11
0.585
0.595
E1
13.89
14.10
0.547
0.555
E2
12.45
13.46
0.490
0.530
e
1.27
–
–
0.050
–
–
N
32
32
Nd
7
7
Ne
9
9
CP
0.10
0.004
PLCC32
Drawing is not to scale.
PLCC32- 32 lead Plastic Leaded Chip Carrier, rectangular
18/21
M28F201
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M28F201-90N1R 8-Input Positive-NAND Gates 14-SOIC 0 to 70
M28F201-90N1TR 8-Input Positive-NAND Gates 14-SOIC 0 to 70
M28F201-90N3R 8-Input Positive-NAND Gates 14-PDIP 0 to 70
M28F201-90N3TR 8-Input Positive-NAND Gates 14-PDIP 0 to 70
M28F201-90N6R 8-Input Positive-NAND Gates 14-SO 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M28F201-90N1 功能描述:閃存 TSOP-32 256KX8 90NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28F201-90N1R 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
M28F201-90N1TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
M28F201-90N3R 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
M28F201-90N3TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
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