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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28F201-120N3R |
| 廠(chǎng)商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2 MB的256K × 8，芯片擦除閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | M28F201-120N3R |
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AI00642
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQV
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQZ
DATA OUT
A0-A17
E
G
DQ0-DQ7
Figure5. Read Mode ACWaveforms
AI00643
tWHGL
tVPHEL
VALID
tELQV
tEHQZ
tAVQV
A0-A17
E
G
DQ0-DQ7
DATA OUT
COMMAND
VPP
W
tAXQX
tGHQZ
tGLQV
READ
READ SET-UP
tWLWH
tWHDX
tDVWH
tGHWL
tELWL
tWHEH
Figure6. Read Command Waveforms
8/21
M28F201
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28F201-120N3TR | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120N6R | Triple 3-Input Positive-NOR Gates 14-PDIP 0 to 70 |
| M28F201-120N6TR | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120XK1TR | 9-Bit Parity Generators/Checkers 14-SOIC 0 to 70 |
| M28F201-120XK6TR | 9-Bit Parity Generators/Checkers 14-SOIC 0 to 70 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28F201-120N3TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120N6R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120N6TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120XK1R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120XK1TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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