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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M25P80VMW3P |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.200 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/41頁(yè) |
| 文件大小： | 563K |
| 代理商： | M25P80VMW3P |
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M25P80
Table 14. Instruction Times (Device Grade 6)
Table 15. Instruction Times (Device Grade 3)
Note: 1. At 85°C
2. This is preliminary data
3. When using the Page Program (PP) instruction to program consecutive Bytes, optimized timings are obtained with one sequence
including all the Bytes versus several sequences of only a few Bytes. (1
≤n ≤256)
Table 16. AC Measurement Conditions
Note: Output Hi-Z is defined as the point where data out is no longer driven.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
tW
Write Status Register Cycle Time
5
15
ms
tPP
(1)
1. When using the Page Program (PP) instruction to program consecutive Bytes, optimized timings are obtained with one se-
quence including all the Bytes versus several sequences of only a few Bytes. (1
≤n ≤256)
Page Program Cycle Time (256 Bytes)
1.4
5ms
Page Program Cycle Time (n Bytes)
0.4+
n*1/256
tSE
Sector Erase Cycle Time
1
3
s
tBE
Bulk Erase Cycle Time
10
20
s
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.1,2
Max.2
Unit
tW
Write Status Register Cycle Time
8
15
ms
tPP
3
Page Program Cycle Time (256 Bytes)
1.5
5ms
Page Program Cycle Time (n Bytes)
0.4+
n*1.1/
256
tSE
Sector Erase Cycle Time
1
3
s
tBE
Bulk Erase Cycle Time
10
20
s
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
CL
Load Capacitance
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Voltages
0.2VCC to 0.8VCC
V
Input Timing Reference Voltages
0.3VCC to 0.7VCC
V
Output Timing Reference Voltages
VCC / 2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M263TGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 50.001 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M225TGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 50.001 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M27C256B-90XB1 | 32K X 8 OTPROM, 90 ns, PDIP28 |
| M27C256B-80F3 | 32K X 8 UVPROM, 80 ns, CDIP28 |
| M27C256B-45C1TR | 32K X 8 OTPROM, 45 ns, PQCC32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P80-VMW3P | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface |
| M25P80-VMW3TG | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface |
| M25P80-VMW3TP | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface |
| M25P80-VMW6 | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 40MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| M25P80-VMW6G | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
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