2-40 Revision 23 The length of time an I/O can withstand IOSH
參數(shù)資料
型號(hào)： M1AGL1000V2-FG144I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 203/250頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 1M 144-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
系列： IGLOO
邏輯元件/單元數(shù)： 24576
RAM 位總計(jì)： 147456
輸入/輸出數(shù)： 97
門(mén)數(shù)： 1000000
電源電壓： 1.14 V ~ 1.575 V
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 144-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 144-FPBGA（13x13）
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)第163頁(yè)第164頁(yè)第165頁(yè)第166頁(yè)第167頁(yè)第168頁(yè)第169頁(yè)第170頁(yè)第171頁(yè)第172頁(yè)第173頁(yè)第174頁(yè)第175頁(yè)第176頁(yè)第177頁(yè)第178頁(yè)第179頁(yè)第180頁(yè)第181頁(yè)第182頁(yè)第183頁(yè)第184頁(yè)第185頁(yè)第186頁(yè)第187頁(yè)第188頁(yè)第189頁(yè)第190頁(yè)第191頁(yè)第192頁(yè)第193頁(yè)第194頁(yè)第195頁(yè)第196頁(yè)第197頁(yè)第198頁(yè)第199頁(yè)第200頁(yè)第201頁(yè)第202頁(yè)當(dāng)前第203頁(yè)第204頁(yè)第205頁(yè)第206頁(yè)第207頁(yè)第208頁(yè)第209頁(yè)第210頁(yè)第211頁(yè)第212頁(yè)第213頁(yè)第214頁(yè)第215頁(yè)第216頁(yè)第217頁(yè)第218頁(yè)第219頁(yè)第220頁(yè)第221頁(yè)第222頁(yè)第223頁(yè)第224頁(yè)第225頁(yè)第226頁(yè)第227頁(yè)第228頁(yè)第229頁(yè)第230頁(yè)第231頁(yè)第232頁(yè)第233頁(yè)第234頁(yè)第235頁(yè)第236頁(yè)第237頁(yè)第238頁(yè)第239頁(yè)第240頁(yè)第241頁(yè)第242頁(yè)第243頁(yè)第244頁(yè)第245頁(yè)第246頁(yè)第247頁(yè)第248頁(yè)第249頁(yè)第250頁(yè)
IGLOO DC and Switching Characteristics
2-40
Revision 23
The length of time an I/O can withstand IOSH/IOSL events depends on the junction temperature. The
reliability data below is based on a 3.3 V, 12 mA I/O setting, which is the worst case for this type of
analysis.
For example, at 100°C, the short current condition would have to be sustained for more than six months
to cause a reliability concern. The I/O design does not contain any short circuit protection, but such
protection would only be needed in extremely prolonged stress conditions.
Table 2-44 I/O Short Currents IOSH/IOSL
Applicable to Standard I/O Banks
Drive Strength
IOSL (mA)*
IOSH (mA)*
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
25
27
4 mA
25
27
6 mA
51
54
8 mA
51
54
3.3 V LVCMOS Wide Range
100
A
Same as regular 3.3 V LVCMOS Same as regular 3.3 V LVCMOS
2.5 V LVCMOS
2 mA
16
18
4 mA
16
18
6 mA
32
37
8 mA
32
37
1.8 V LVCMOS
2 mA
9
11
4 mA
17
22
1.5 V LVCMOS
2 mA
13
16
1.2 V LVCMOS
1 mA
20
26
1.2 V LVCMOS Wide Range
100
A20
26
Note: *TJ = 100°C
Table 2-45 Duration of Short Circuit Event before Failure
Temperature
Time before Failure
–40°C
> 20 years
–20°C
> 20 years
0°C
> 20 years
25°C
> 20 years
70°C
5 years
85°C
2 years
100°C
6 months
Table 2-46 I/O Input Rise Time, Fall Time, and Related I/O Reliability1
Input Buffer
Input Rise/Fall Time
(min.)
Input Rise/Fall Time
(max.)
Reliability
LVTTL/LVCMOS
No requirement
10 ns *
20 years (100°C)
LVDS/B-LVDS/M-LVDS/
LVPECL
No requirement
10 ns *
10 years (100°C)
Note: The maximum input rise/fall time is related to the noise induced into the input buffer trace. If the
noise is low, then the rise time and fall time of input buffers can be increased beyond the
maximum value. The longer the rise/fall times, the more susceptible the input signal is to the
board noise. Microsemi recommends signal integrity evaluation/characterization of the system to
ensure that there is no excessive noise coupling into input signals.
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PDF描述
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M1AGL1000V2-FG256I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 1M 256-FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:IGLOO 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs Cyclone IV FPGA Family Overview 特色產(chǎn)品:Cyclone? IV FPGAs 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:CYCLONE® IV GX LAB/CLB數(shù):9360 邏輯元件/單元數(shù):149760 RAM 位總計(jì):6635520 輸入/輸出數(shù):270 門(mén)數(shù):- 電源電壓:1.16 V ~ 1.24 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FBGA（23x23）
M1AGL1000V2-FG484 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:IGLOO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 系列:SX-A LAB/CLB數(shù):6036 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):360 門(mén)數(shù):108000 電源電壓:2.25 V ~ 5.25 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FPBGA（27X27）
M1AGL1000V2-FG484I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:IGLOO 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs Cyclone IV FPGA Family Overview 特色產(chǎn)品:Cyclone? IV FPGAs 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:CYCLONE® IV GX LAB/CLB數(shù):9360 邏輯元件/單元數(shù):149760 RAM 位總計(jì):6635520 輸入/輸出數(shù):270 門(mén)數(shù):- 電源電壓:1.16 V ~ 1.24 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FBGA（23x23）
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