Revision 13 2-21 3.3 V GTL+ 35 mA 12 – 2.5 V GTL+ 33 mA 15 – HSTL (I) 8 mA 50 HSTL (II) 15 mA
參數(shù)資料
型號： M1A3PE3000-2FG324
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 92/162頁
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描述： IC FPGA 1KB FLASH 3M 324-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 84
系列： ProASIC3E
RAM 位總計： 516096
輸入/輸出數(shù)： 221
門數(shù)： 3000000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 324-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 324-FBGA（19x19）
ProASIC3E Flash Family FPGAs
Revision 13
2-21
3.3 V GTL+
35 mA
12
–
2.5 V GTL+
33 mA
15
–
HSTL (I)
8 mA
50
HSTL (II)
15 mA 4
25
SSTL2 (I)
15 mA
27
31
SSTL2 (II)
18 mA
13
15
SSTL3 (I)
14 mA
44
69
SSTL3 (II)
21 mA
18
32
Table 2-20 I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances
Minimum and Maximum Weak Pull-Up/Pull-Down Resistance Values
VCCI
R((WEAK PULL-UP)1
(
)
R(WEAK PULL-DOWN)2
(
)
Min.
Max.
Min.
Max.
3.3 V
10 k
45 k
10 k
45 k
3.3 V (Wide
Range I/Os)
10 k
45 k
10 k
45 k
2.5 V
11 k
55 k
12 k
74 k
1.8 V
18 k
70 k
17 k
110 k
1.5 V
19 k
90 k
19 k
140 k
Notes:
1. R(WEAK PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / I(WEAK PULL-UP-MIN)
2. R(WEAK PULL-DOWN-MAX) = (VOLspec) / I(WEAK PULL-DOWN-MIN)
Table 2-19 I/O Output Buffer Maximum Resistances1 (continued)
Standard
Drive Strength
RPULL-DOWN ()2
RPULL-UP ()3
Notes:
1. These maximum values are provided for informational reasons only. Minimum output buffer resistance
values depend on VCCI, drive strength selection, temperature, and process. For board design
considerations and detailed output buffer resistances, use the corresponding IBIS models located on the
Microsemi SoC Products Group website at www.microsemi.com/soc/techdocs/models/ibis.html.
2. R(PULL-DOWN-MAX) = (VOLspec) / IOLspec
3. R(PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / IOHspec
4. Output drive strength is below JEDEC specification.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GMC70DRSN-S273 CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD
A3PE3000-2FGG324 IC FPGA 1KB FLASH 3M 324-FBGA
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M1A3PE3000-2FGG324 IC FPGA 1KB FLASH 3M 324-FBGA
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M1A3PE3000-2FG896ES 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:ProASIC3E Flash Family FPGAs
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